专利名称：一种压力传感器敏感密封腔的制备方法专利类型：发明专利
发明人：尚瑛琦,张林超,齐虹,田雷,陈静,张岩申请号：CN201810284256.8申请日：20180402公开号：CN108663155A公开日：20181016
摘要：一种压力传感器敏感密封腔的制备方法，属于压力传感器制备领域。本发明解决了采用硅‑玻璃键合工艺制备压力传感器存在的体积大、不耐高温、电学性能差及硅‑硅键合方法存在的制备精度低的问题。本发明主要采用双层多孔硅(大孔径多孔硅层和小孔径多孔硅层)中的大孔径多孔硅层作为牺牲层，单晶硅外延层密封大孔径多孔硅层形成的敏感空腔制备敏感密封腔。本发明主要用于制备压力传感器敏感密封腔。
申请人：中国电子科技集团公司第四十九研究所
地址：150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区一曼街29号
国籍：CN
代理机构：哈尔滨市松花江专利商标事务所
代理人：岳昕
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