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一种抗硫化片式厚膜电阻的制作方法

2022-11-08 来源:独旅网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(21)申请号 CN201510806512.1 (22)申请日 2015.11.21 (71)申请人 贝迪斯电子有限公司

地址 233000 安徽省蚌埠市高新技术产业开发区兴中路818号

(10)申请公布号 CN105336461A

(43)申请公布日 2016.02.17

(72)发明人 李福喜;黄明怀;徐建建;陈立俊 (74)专利代理机构 安徽省蚌埠博源专利商标事务所

代理人 倪波

(51)Int.CI

H01C17/00; H01C17/28;

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

一种抗硫化片式厚膜电阻的制作方法

(57)摘要

本发明公开一种抗硫化片式厚膜电阻的制

作方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)在陶瓷基片的正面印刷电阻层并烧结,(2)正面掩膜后溅射纯镍正电极,(3)水洗去膜,(4)背面掩膜后溅射纯镍背电极,(5)水洗去膜,(6)镭射,(7)印刷包封层,(8)裂条,(9)溅射纯镍侧电极,(10)碎片,(11)电镀锡层;本

发明采用纯镍通过真空溅射制作正、背电极,使得片式厚膜电阻的电极中不含有银成分,彻底解决硫化对片式厚膜电阻的影响,避免了阻值变大或开路的现象,保证了片式厚膜电阻的稳定性。

法律状态

法律状态公告日

2016-02-17 2016-02-17 2016-03-16 2016-03-16 2018-04-24

法律状态信息

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

法律状态

公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的视为撤回

权利要求说明书

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说明书

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