专利名称：图案复制掩模、半导体装置制造方法及掩模图案制
作用程序
专利类型：发明专利发明人：坂井淳二郎申请号：CN03154842.3申请日：20030815公开号：CN1497699A公开日：20040519
摘要：在双镶嵌结构形成时抑制沟道形成用的光刻胶图案(光刻胶掩模)上出现的通孔附近的图案不良。图案复制掩模101的掩模图案110由遮光图案111和透光图案112构成。遮光图案111在与通孔51H对应的部分附近具有施加尺寸减小处理的形状(图案)。最好对通孔51H占有率越高的区域施加越大的尺寸减小处理。另外，掩模101用于负型光刻胶，但对于正型光刻胶用的掩模将遮光图案111和光透过图案112相互调换即可。
申请人：株式会社瑞萨科技
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理(香港)有限公司
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