专利名称：闪存及其制造方法专利类型：发明专利发明人：洪志镐
申请号：CN200710128742.2申请日：20070712公开号：CN101114617A公开日：20080130
摘要：一种闪存器件，具有单元区域和外围区域。在制造该闪存的方法中，将单元区域中的衬底刻蚀预定的深度，在单元区域中的衬底上形成第一多晶硅层和ONO层；以及在单元区域的ONO层及外围区域的衬底两者上形成第二多晶硅层。
申请人：东部高科股份有限公司
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：中原信达知识产权代理有限责任公司
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