专利名称：图像传感器及其制造方法专利类型：发明专利发明人：朴志镕
申请号：CN200810188813.2申请日：20081226公开号：CN101471371A公开日：20090701
摘要：一种图像传感器及其制造方法，所述图像传感器包括电路、基板、电结区、高浓度第一导电型区、以及光电二极管。所述电路包括晶体管且形成于所述基板上和/或上方。所述电结区形成在晶体管的一侧。所述高浓度第一导电型区形成在电结区上和/或上方。所述光电二极管形成在所述电路上方。
申请人：东部高科股份有限公司
地址：韩国首尔
国籍：KR
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
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