专利名称：一种导电陶瓷的制备方法专利类型：发明专利
发明人：孟凡斌,翟娇,赵丽灿,黎玉进,杨默,刘晓童申请号：CN201711273622.1申请日：20171206公开号：CN107986776A公开日：20180504
摘要：本发明为一种导电陶瓷的制备方法。该方法包括以下步骤：将渗碳炉升温，使渗碳炉温度达到830℃～910℃并保持稳定，再把陶瓷基料放入渗碳炉内的坩埚，然后向渗碳炉内滴加含有氯化镧的扩渗剂，滴加3.5‑4.5小时，在其滴加过程中保持温度不变；最后得到导电陶瓷；所述的物料配比为质量比陶瓷基料：氯化镧＝1‑2:1，陶瓷基料优选为钛酸铅、钛酸钡或氧化锌。本发明方法所用仪器设备简单，操作方便，产物的结构稳定且性能优异，有利于大规模的生产。
申请人：河北工业大学
地址：300130 天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330#
国籍：CN
代理机构：天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：赵凤英
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