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一种高精度基准源电路

2023-09-08 来源:独旅网
Microelectronic Technology 一种高精度基准源电路 董大伟 (中国电子信息产业集团有限公司,北京100086) 摘要:基于90 nm CMOS标准工艺,设计了一种低温漂的带隙基准源电路。一种结构新颖的温度 曲率校正电路被采用,作为一级温度补偿电路的曲率校正电路。Hspice仿真结果表明:所设计电压源 在温度一20℃~+120℃范围内,平均温度系数约为2.2 ppm/ ̄C,获得了一个低压高精度的带隙基准电 压源。 关键词:带隙基准源;温度系数;曲率校正 中图分类号:TN433 文献标识码:A 文章编号:0258-7998(2015)06—0045—02 DOI:1O.16157/j.issn.0258—7998.2015.06.012 A high precision bandgap reference Dong Dawei (China Electronics Corporation,Beijing 100086,China) Abstract:The design of the novel currature correction temperature compensation bandgap reference circuit as the curraturc cor- rection circuit of the first order temperature compensation bandgap reference circuit,and get a better output and lower average tern— perature coefifcient,which is fabricated with 90 nm CMOS technology.Result from HSPICE simulation shows that the circuit has an average temperature coefifcient about 2.2 ppm/%between一20℃to 120℃。 Key words:bandgap reference;temperature coefifcient;curvature correction 0引言 在高精度集成电路系统中,低温度系数、低工作电 压基准源的设计十分重要,基准电压的温度特性直接影 响电路精度和性能。本文根据低温度系数、低工作电压 的要求,基于标准CMOS工艺设计,采用低压运算放大 器,提出了温度曲率校正的方法,最终实现了低温度系 数、低工作电压的CMOS带隙基准源设计。经过仿真验 证,电源电压在1.3 V时电路可以正常工作,输出电压 的平均温度系数约为2.2 ppm/%。 1一阶温度补偿电路 如图1所示,电路中采用了一种低电压运算放大器 进行钳位,保证M、Ⅳ电压近似相等。电路设计器件M。、 图1一级温度补偿电路 M:、M,的尺寸相同,Q 和Q:的发射极面积为M:1,电阻 R1= 2。 Votrr=R4。,3= ( 髓1+R1Vr1nM/R3) (1) 由于:VM:VⅣ、Rl=R2、Ii=/2=/3,所以:/la= 、Il 从式(1)可知,Vss1为负温度系数电压, ln 为正 11 :VBzl/R】、,16= =( 心一 B )/R3=V InM/R3 温度系数电压,所以输出电压 哪为一个经过一阶温度 31=I1=]2=Il +,l6=VBE1/Rl+ r ln / 3 补偿的电压,可以通过调整电阻比值和系数 调整输 输出电压: 出电压 邮的大小和精度。 《电子技术应用》2015年第41卷第6期 45 Microelectronic Technology 2曲率补偿 图1所示的电路并不能满足对高精度基准源输出 的要求,原因是双极晶体管的基极一发射极电压 观,即 PN结二极管的正向电压是负的高阶温度系数,一阶温 度补偿电路不能消除高阶温度系数影响,要减少带隙基 准源的温度系数,必须消除高阶温度系数的影响。曲率 校正电路如图2所示。 Vrr :=jM9 1 图2曲率校正电路 图2中M4、M5、M10、M11、R5构成偏置电路,MIO、 M11工作在亚阈值工作区,利用MOS器件的亚阈值特 性为C点提供正温度系数的偏置电压,C点提供正温度 系数的偏置电压,器件M6、M7、M8、M9的电流是温度的 高阶函数。设计M7和M9尺寸相同,进而电流/7=/.。 Vo=Vr ln(L/ ), =VT ln[(Ia+I.)/,ss1 在D、E两点产生电压差,厶×尺4=(VD—VE)=Vr ln[(1d+ L)// ̄】。 厶对温度求偏导得: =盖 奇 +啬 c} H c等+等川 由于 = ,整理上式得: =【 n( ) +( 一 )等】/【l+ )】 (2) 由式(2)可知,将高阶温度补偿电流厶引入到一级温 度补偿电路作为补偿电流,输出电压式(1)调整为: V ̄zr=(V.El,RI+ r ln ,R3+lo)xR4 (3) 式(3)中,,n是温度的高阶函数电流,通过调节补偿电 流的大小可以调节 唧的高阶温度系数。 3电路仿真 如图3所示,电源电压VCC为1.8 V,温度扫描范围 为一20 oC~120 oC,一阶温度补偿电路输出电压平均温度 /℃ 图3一阶温度补偿输出电压温度特性仿真 46 欢迎网上投稿www.ChinaAET.com 系数为11 ppm/ ̄C。 如图4所示,电源电压VCC为1.8 V,温度扫描范围 为一20 cI=~120 oC。从图中可以看到补偿电流是温度的高 阶函数。 /℃ 图4高阶温度补偿电流厶温度特性仿真 如图5所示,经过曲率校正电路校正,电源电压 VCC为1.8 V,温度扫描范围为一2O℃~120℃,输出电压 平均温度系数为2.2 ppm/ ̄C。 丰 丰 一: 糖 }}}¨ :撼:l  /…H   …一 一H :  , 丰 …, 、一H一 ilr…l| ’}¨ l| r _= 矗‘: /l一'  _… 丰 丰 # 李转 ℃ 图5曲率校正后输出电压温度特性仿真 如图6所示,在27 cI=环境下,对电源电压进行DC 扫描,电源电压大于1.3 V电路就可正常工作。 {l } }l I j i i i{} } }i {i i{ ~~卜}音~卜抖十~ l}}一  +件{H一 … }一^~{ l—k _土 毒~ {l l{ { l, — 一{—I;j 4一i—I{{…k  +{一I 4 上LL 专l0  l—0 4{}l 一 士 群 1~rr 一_—一÷10一寸了 … rr 舢 0H¨喜;… 十;0一… 一 rir{}一寸{…1l{ 一 …— 中 …卜~ q…卜P一* ~ {;{l {l-  2’,【℃ 图6工作电压仿真 比较图3和图5所示的Hspice仿真结果,可以发 现经过曲率校正电路对输出电压进行高阶温度补偿, 使得输出电压平均温度系数从原来的11 ppm/ ̄C减小到 2.2 ppm/%,输出电压具有更高的输出精度。图6所示, 在27℃环境下,电源电压在1.3 V时电路就可以正常工 作了。 参考文献 [1】RINCON-MORA G A,Voltage References:from diodes to precision high—order bandgap circuits[M].Wiley—Interscienee, 20o2. 【2】Pletersek A.A compensated bandgap voltage reference with sub-1-V supply voltage[J].Analog Intergrated Circuit and Signal Processing,2005:44(7):5—15. [3】吴金,刘桂芝,张麟.CMOS亚阈型带隙电压基准的分析与 f下转第50页) 《电子技术应用》2015年第41卷第6期 

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