专利名称:一种高分散铜负载二氧化钛纳米片的制备方法及其
应用
专利类型:发明专利
发明人:陈立勇,于丰洋,段春迎申请号:CN202011106687.9申请日:20201016公开号:CN112439416A公开日:20210305
摘要:本发明属于多功能杂化纳米材料合成技术领域,涉及一种高分散铜负载二氧化钛纳米片的制备方法及其应用。本发明是通过水热合成法制备二氧化钛纳米片,随后在其上负载
Cu‑MOF(HKUST‑1),并在还原气氛下,经过热处理制备高分散铜负载二氧化钛纳米片,并将其用于光催化甲醇降解制备氢气。结果表明:通过MOF固定的铜簇可以高分散的负载于二氧化钛纳米片的表面,有效的提高了二氧化钛光降解甲醇产氢的效率。本发明的方法简便易行,反应条件温和,制备的二氧化钛纳米片具有较高的光催化产氢速率。
申请人:大连理工大学
地址:116024 辽宁省大连市甘井子区凌工路2号
国籍:CN
代理机构:大连理工大学专利中心
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