专利名称：一种铜掺杂氧化钴多孔纳米片复合材料及储能应用专利类型：发明专利发明人：解勤兴,谢东良申请号：CN201911239135.2申请日：20191206公开号：CN110931750A公开日：20200327
摘要：本发明公开了一种铜掺杂氧化钴多孔纳米片复合材料的制备方法，其具体步骤为：将钴盐和铜盐按照钴/铜摩尔比0～5/1溶解于适量体积水中制备盐溶液(0.01～1.0摩尔/升)，二甲基咪唑溶解于等量体积水中形成配体溶液(0.1～5.0摩尔/升)。将配体溶液与盐溶液快速混合并搅拌均匀。将生长基体浸入到混合溶液中，室温下静置反应12～48小时。将基体取出后依次用水、乙醇清洗干净，干燥。将基体在惰性气氛下以1～5摄氏度/分钟的升温速率升至350～800摄氏度，热处理1～6小时，冷却到室温后得到在基体上生长的铜掺杂氧化钴多孔纳米片复合材料。用该方法制备的复合材料可用作锂离子电池负极材料及锌离子电池正极材料。
申请人：天津工业大学
地址：300387 天津市西青区宾水西道399号
国籍：CN
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