专利名称：一种具有内嵌沟道二极管的SiC MOSFET结构专利类型：发明专利
发明人：周新田,庞浩洋,贾云鹏,胡冬青,吴郁申请号：CN201911040815.1申请日：20191030公开号：CN110729356A公开日：20200124
摘要：本发明提供一种具有内嵌沟道二极管的SiC MOSFET结构，从下至上依次为漏极金属，衬底层，N‑漂移层，JFET区；P‑base区位于JFET区两侧，P‑base预设区域上表面为N+源区及P‑plus区；左侧N+源区、P‑base区以及部分JFET区上表面为MOSFET栅氧，右侧为厚度较薄的沟道二极管栅氧；MOSFET多晶硅栅位于MOSFET栅氧的上表面；沟道二极管多晶硅栅位于沟道二极管栅氧的上表面；隔离氧位于MOSFET多晶硅栅、沟道二极管多晶硅栅以及裸露的MOSFET栅氧和沟道二极管栅氧的上表面；源极金属位于N+源区、P‑plus区及隔离氧的上表面，且与沟道二极管多晶硅栅相连。
申请人：北京工业大学
地址：100124 北京市朝阳区平乐园100号
国籍：CN
代理机构：北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人：吴荫芳
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