LED芯片结构及其制备方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201810159265.4 （22）申请日 2018.02.26

（71）申请人 湘能华磊光电股份有限公司

地址 423038 湖南省郴州市苏仙区白露塘镇有色金属产业园区

（10）申请公布号 CN108400206A

（43）申请公布日 2018.08.14

（72）发明人 周智斌;郭恩卿;徐平

（74）专利代理机构 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)

代理人 于淼

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

LED芯片结构及其制备方法

（57）摘要

本申请公开了一种LED芯片结构及其制备

方法，设计LED芯片设计技术领域，方法依次包括：处理衬底、生长缓冲层、生长N型半导体层N‑GAN、生长多量子阱层、生长P型半导体层P‑GAN、生长分段式电流阻挡层、生长电流扩展层、生长P型电极和N型电极、生长透明绝缘层；其中，分段式电流阻挡层包括第一电流阻挡层N‑CBL和第二电流阻挡层P‑CBL，第一电流阻挡层N‑CBL和/或第二电流阻挡层P‑CBL为分段式结

构；第一电流阻挡层N‑CBL与N型半导体层N‑GAN远离衬底的表面之间的夹角为10°≤α≤25°，第二电流阻挡层P‑CBL与P型半导体层P‑GAN远离衬底的表面之间的夹角为10°≤θ≤25°。

法律状态

法律状态公告日

2018-08-14 2018-08-14 2018-08-14 2018-09-07 2018-09-07 2020-04-17

法律状态信息

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回法律状态

公开 公开 公开

实质审查的生效 实质审查的生效

发明专利申请公布后的驳回

权利要求说明书

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说明书

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