专利名称：氢还原制备密排六方结构或面心立方结构超细钴粉
的方法
专利类型：发明专利
发明人：汪云华,昝林寒,赵家春,范兴祥,吴晓峰,李柏榆,吴跃
东
申请号：CN200910094837.6申请日：20091109公开号：CN101653830A公开日：20100224
摘要：本发明公开了一种氢还原制备密排六方结构或面心立方结构超细钴粉的工艺方法，属于金属粉末材料制备技术领域。该工艺包括如下步骤：采用钴的水溶性盐为原料，加入过量碱获得钴的氢氧化物沉淀，不经过滤直接转入高压釜中，在少量氯化钯催化作用下，低于180℃，弱氢气气氛(＜1MPa)还原，还原产物经过滤、洗涤、干燥后在氢还原炉中二次固相氢还原，然后在惰性气体保护下粉碎，结果制得了粒度小于0.5um，比表面积大，分布均匀，具有单一密排六方结构或面心立方结构的。
申请人：昆明贵金属研究所
地址：650106 云南省昆明市高新技术开发区科技路988号(昆明贵金属研究所)
国籍：CN
代理机构：昆明今威专利代理有限公司
代理人：赛晓刚
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