专利名称：锗单晶直拉生长法的自动等径控制方法专利类型：发明专利发明人：张红勇,姚婕
申请号：CN201210253266.8申请日：20120720公开号：CN102758250A公开日：20121031
摘要：本发明公开了一种锗单晶直拉生长法的自动等径控制方法，先设定需要制备的锗晶体的直径，以及设定初始晶升电机提拉速度SL，然后建立速度控制环、温度控制环a及温度控制环b，锗单晶在生长过程中，当直径测量值偏离直径设定值时，直径测量值与直径设定值之间就会形成直径偏差e1，三个控制环互相配合，自动调节晶升电机提拉速度、控温仪表温度设定SP，让直径测量值达到直径设定值。使锗单晶的生产从人工控直径转到自动控直径，提高了生产效率，减小了单晶棒后续抛光、磨圆、切片加工过程中的浪费。
申请人：西安理工晶体科技有限公司
地址：710077 陕西省西安市高新区锦业路69号B区
国籍：CN
代理机构：西安弘理专利事务所
代理人：罗笛
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