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一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池

2021-08-21 来源:独旅网
(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)实用新型专利

(21)申请号 CN201120367161.6 (22)申请日 2011.09.23 (71)申请人 刘莹

地址 214213 江苏省宜兴市陶都路8号7号楼418室朱炼转刘莹

(10)申请公布号 CN202307988U

(43)申请公布日 2012.07.04

(72)发明人 刘莹 (74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

(54)发明名称

一种肖特基结的单面电极多晶硅薄膜太阳能电池

(57)摘要

本实用新型公开了一种肖特基结的单

面电极多晶硅薄膜太阳能电池,其结构为:以超白玻璃为衬底,玻璃板上设一层起阻挡和钝化作用的薄膜,薄膜上层设一层N型多晶硅薄膜,在薄膜的表面设栅状或者梳状铝电极,在多晶硅薄膜内部设由铝电极渗透到多晶硅薄膜内形成的栅状或者梳状肖特基PN结。由于PN结呈栅状或者梳状排布,使有效PN结长度增加,提高了转化效率。比起传统的多晶硅薄膜太阳能电池,本实用新型无论在性能和产业化生产上,都占有相当的优

势。 法律状态

法律状态公告日

2012-07-04 2013-11-13

授权 专利权的终止

法律状态信息

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专利权的终止

权利要求说明书

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说明书

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