专利名称：一种多孔硅材料及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：苏发兵,张在磊,王艳红,朱永霞,翟世辉申请号：CN201310422037.9申请日：20130916公开号：CN103508458A公开日：20140115
摘要：本发明涉及多孔硅材料及其制备方法。多孔硅材料的制备方法如下：在固体铜基催化剂作用下，硅材料与氯甲烷在401-800℃下原位催化反应，并通过煅烧、酸洗、碱洗等后处理除杂技术制备多孔硅材料，其中，固体铜基催化剂包含主催化剂CuO、CuCl、CuCl中的1种或2种以上的混合物，0≤x≤1，及少量助催化剂。调节反应条件参数可以调控硅材料的孔径大小、分布及孔隙率。本发明不仅获得目前专利技术难以得到的多孔硅材料，还可以得到重要的有机硅单体化学品。利用该方法制备的多孔硅材料，孔径均一，生产成本低，工艺简单，适合于工业化生产，具有广阔的应用前景。
申请人：中国科学院过程工程研究所
地址：100190 北京市海淀区中关村北二条1号
国籍：CN
代理机构：北京品源专利代理有限公司
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