专利名称：一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：王庶民,潘文武,李耀耀,王朋,王凯,吴晓燕,崔健申请号：CN201510240317.7申请日：20150512公开号：CN104810454A公开日：20150729
摘要：本发明提供一种半导体材料、半导体薄膜及其制备方法，通过在生长磷化铟(InP)材料时加入少量镓(Ga)和铋(Bi)元素形成全新的InGaPBi材料，通过改变Ga元素的百分比含量实现晶格常数的调控，室温下短波红外区域光致发光谱波长覆盖范围极宽的材料。比如当Bi和Ga的元素百分含量分别为1.6％和2.3％时，该材料室温光致发光谱的波长覆盖范围可以达到1.4～2.7μm，半峰宽达到600nm，同时在Ga元素的补偿作用下，其晶格常数与InP衬底接近匹配。本发明报道的InGaPBi单晶材料为世界上首次成功合成。此InGaPBi红外光源材料可采用常规分子束外延、金属有机物化学气相沉积等多种方法进行生长，结构和操作工艺简单，易于控制。
申请人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
地址：200050 上海市长宁区长宁路865号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所
代理人：余明伟
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