专利名称：半导体薄膜、半导体薄膜的制备方法和半导体元件专利类型：发明专利
发明人：井上一吉,宇都野太,本田克典申请号：CN201310154043.0申请日：20080423公开号：CN103274608A公开日：20130904
摘要：将含有非晶质氧化物的非晶质氧化物薄膜暴露于用高频率激发含有氧的气体而产生的氧等离子体中。氧等离子体的产生条件优选外加频率数为1kHz以上300MHz以下、压力为5Pa以上。另外，优选利用溅射法、离子镀法、真空蒸镀法、溶胶凝胶法、微粒涂布法的任一者暴露非晶质氧化物薄膜。
申请人：出光兴产株式会社
地址：日本东京都千代田区丸之内3丁目1番1号
国籍：JP
代理机构：上海市华诚律师事务所
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