专利名称：一种有机薄膜晶体管及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：方汉铿,谢应涛,欧阳世宏,蔡述澄,石强,刘则申请号：CN201410818567.X申请日：20141224公开号：CN104485420A公开日：20150401
摘要：本发明提供一种有机薄膜晶体管及其制备方法，涉及有机半导体器件领域，通过该制备方法，可以降低有机薄膜晶体管的关态电流，进而提高其开关比。一种有机薄膜晶体管的制备方法，包括：在衬底上形成栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，还包括：至少对所述有机半导体层用于形成沟道的部分进行等离子表面处理。用于有机薄膜晶体管、包含该有机薄膜晶体管的显示面板或者显示装置的制备。
申请人：京东方科技集团股份有限公司
地址：100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号
国籍：CN
代理机构：北京中博世达专利商标代理有限公司
代理人：申健
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