专利名称：一种有机薄膜晶体管及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：于军胜,李璐,张磊,蒋亚东申请号：CN200810044529.8申请日：20080403公开号：CN101257093A公开日：20080903
摘要：一种有机薄膜晶体管，包括基板、栅电极、绝缘层、有机半导体层、漏电极和源电极，结构组成为顶部接触式、底部接触式和顶部栅极式中的一种，其特征在于：还包括过渡层，所述过渡层由空穴型有机半导体材料中的一种或多种构成。目的是要优化有机薄膜晶体管的制作工艺，提高有机薄膜晶体管的性能，大幅降低有机薄膜晶体管的成本，为有机薄膜晶体管的产业化降低工艺要求和成本。
申请人：电子科技大学
地址：610054 四川省成都市成华区建设北路二段四号
国籍：CN
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