就功能和成本而言，功率元件在變頻器中是最為重要的部件。要想降低成本，如何使用小型元件是重點所在。
元件的小型化需要降低元件產生的損耗。如圖6所示，對於理想開關，無論有多少電流經過也不會產生損耗，而半導體開關一旦通入電流便會在通態電壓的作用下產生通態損耗。
圖6：理想開關與半導體開關半導體開關一旦通入電流即產生損耗
而且，在開/關時不會瞬間完成切換，其產生的一段時間（開關時間）的延遲還會造成開關損耗。由圖6可知，降低損耗有三個手段：①縮小電流；②降低通態電壓；③縮短開關時間。下面來分別進行說明。
①縮小電流
縮小功率元件電流使用的是升壓電路。以普銳斯（Prius）為例，變頻器與主電池之間設置了升壓電路，其作用是將電壓提升至650V並向變頻器供電（圖7）。由於馬達的電流與電壓成反比，因此，流經功率元件的電流也能夠縮小。繼續提高電壓雖然能進一步縮小電流，但以絕緣為主的諸多問題會造成變頻器和馬達等部件體積增加，因此，這一程度的電壓對於車載用途較為適宜。
圖7：升壓電路的結構以「Prius」為例。
這種方式的優點在於增加升壓電路的成本遠遠小於縮小電流能夠減少的成本。
在升壓電路中，打開下方的IGBT，電抗器開始儲存能量，關閉IGBT後，電壓上升。使其經上方的二極體儲存于電容後，升壓完成。再生時，驅動上方的IGBT與下方的二極體，向主電池通入電流。
②降低通態電壓
通態電壓由開關元件的特性決定，因此需要選擇最佳元件。如圖8所示，當要求耐壓為
200V以下時，功率MOSFET（金屬氧化膜半導體電場效果型電晶體）比IGBT更佳。但無論是哪種元件，耐壓越高，通態電壓也會增高，因此需要盡量選擇低耐壓元件。
圖8：IGBT與功率MOSFET的特性比較
晶片尺寸為5mm見方。最佳元件由要求耐壓決定。
③縮短開關時間
降低開關損耗只需縮短開關時間即可。這可以借助柵電阻完成，電阻越小，時間越短。
但是，鋻於電流變化率di/dt增加，突波電壓ΔV隨之增加，這就需要提高元件耐壓。如此一來，好不容易縮小了開關損耗，通態損耗又會增加。
如圖9所示，由於突波電壓由佈線電感L產生，因此，怎樣縮小電感是設計的重點。具體方式是盡可能把IGBT配置在電容附近，縮短佈線長度並加寬佈線。因為互感效應能夠降低L，所以要採用使＋－佈線（實際為母線）盡可能接近等方法。
圖9：突波電壓的發生原理突波電壓由佈線電感產生。
功率元件的小型化除了能夠降低損耗外，還能夠改善散熱性能，降低溫度。圖10給出了功率元件的安裝結構和散熱路徑。冷卻一般為水冷方式，容量較小的元件有時也採用空冷方式。元件的溫度上升ΔT是元件損耗P與熱電阻R（散熱性能的倒數）之積，由於R縮小的倍數即為損耗允許增加的倍數，因此可以使用小型元件。
利用電容穩定電流
如圖11所示，電容的作用是穩定主電池的電流。如果沒有電容，由於IGBT做開/關動
作，電流會呈現脈衝狀變化。當電流關時，外部佈線電感會產生過大的突波電壓，瞬間擊穿IGBT。
而使用電容可以平穩縮小電流，抑制突波電壓。另外，當電流呈現脈衝狀時，從主電池到變頻器的佈線會發射出頻率成分複雜的噪音，干擾廣播等無線信號。穩定電流對此也有抑制作用。
控制電路為雙系統構成
圖10：功率元件的安裝結構與散熱路徑一般的水冷方式。
圖11：電容的作用
電容的作用是穩定主電池的電流。
圖12：控制電路的結構
由高壓系統與低壓系統雙系統構成。
控制電路為高壓系統和低壓系統構成，高壓系統由驅動IGBT的驅動電路和保護IGBT的保護電路組成（圖12）。出於安全考慮，低壓系統與高壓系統安全利用光耦合器和變壓
器進行了電絕緣。MG·ECU通過向量控制形成驅動信號。保護電路的作用通常是檢測IGBT的過電流、短路、過熱、驅動電壓的下降，在出現異常時斷開IGBT。（未完待續：特約撰稿人：山田好人，電裝 EHV機器事業部 主任部員）
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。IGBT廣泛應用於高鐵、節能變頻、風電、太陽能等產業中。
IGBT絕緣柵雙極型晶體管
由於IGBT具有易於驅動，控制簡單、開關頻率高的優點，又有功率晶體管的導通電壓低，通態電流大，損耗小的顯著優點。因此在節能市場領域將獲得較為廣泛的應用。如圖：
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容