专利名称：画素结构专利类型：发明专利发明人：江佳铭,任坚志申请号：CN200610078480.9申请日：20060530公开号：CN101082743A公开日：20071205
摘要：一种画素结构，适于由基板上的扫瞄线与数据线而控制，此画素结构包括薄膜晶体管与画素电极。薄膜晶体管包括第一介电层、半导体层、奥姆接触层、源极与汲极以及第二介电层。第一介电层覆盖扫瞄线，而半导体层配置于扫描线上方的第一介电层上。半导体层具有主体以及与主体连接的至少一延伸部，且延伸部自位于源极与汲极之间的主体边缘突出。奥姆接触层配置于部份的主体上。源极与汲极配置于奥姆接触层上，而源极与数据线电性连接。第二介电层覆盖源极与部分汲极。画素电极与薄膜晶体管的汲极电性相连。因此，此画素结构能够降低漏电流。
申请人：中华映管股份有限公司
地址：台湾省台北市
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：周长兴
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