发布网友 发布时间:2022-04-22 06:59
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热心网友 时间:2022-06-17 02:37
DDR Ⅱ技术 DDRⅡ相对于DDR有三大技术革新,4位预取(DDR是2位)、Posted CAS、整合终结器(ODT)、FBGA/CSP封装。要解释预取的概念,我们必须从内存的频率说起。大家通常说的“内存频率”其实是一个笼统的说法,内存频率实际上应细分为数据频率、时钟频率和DRAM核心频率三种。数据频率指的是内存模组与系统交换数据的频率;时钟频率则是指内存与系统协调一致的频率;而DRAM核心频率指的是DRAM内部组件的工作频率,它只与内存自身有关而不受任何外部因素影响。对SDRAM来说,这三者在数字上是完全等同的,也就是数据频率=时钟频率=核心频率;而DDR技术却不是如此,它要在一个时钟周期内传输两次数据,数据频率就等于时钟频率的两倍,但核心频率还是与时钟频率相等。由于数据传输频率翻倍(传输的数据量也翻倍),而内部核心的频率并没有改变,这意味着DDR芯片核心必须在一个周期中供给双倍的数据量才行,实现这一任务的就是所谓的两位预取(2bit Prefect)技术;DDRⅡ采用的4位预取。这项技术的原理是将DRAM存储矩阵的位宽增加一(两)倍,这样在一个时钟周期内就可以传输双(四)倍的数据,这些数据接着被转化为宽度为1/2(1/4)的两道数据流、分别从每个时钟周期的上升沿和下降沿传送出去。Posted CAS:DDRⅡ通过引入“Posted CAS”功能来解决带宽利用变低的问题,所谓Posted CAS,指的是将CAS(读/写命令)提前几个周期、直接插到RAS信号后面的一个时钟周期,这样CAS命令可以在随后的几个周期内都能保持有效,但读/ 写操作并没有因此提前、总的延迟时间没有改变。这样做的好处在于可以彻底避免信号冲突、提高内存使用效率,但它只有在读写极其频繁的环境下得到体现,若是普通应用,Posted CAS功能反而会增加读取延迟、令系统性能下降,因此我们可以根据需要、通过BIOS将Posted CAS功能开启或关闭(关闭状态下DDRⅡ的工作模式就与DDR完全相同)。 芯片整合终结器,提高了内存工作的稳定性,增强的内存的兼容性。FBGA 封装和CSP封装,封装虽然无法直接决定内存的性能,但它对内存的稳定工作至关重要。 FBGA封装是DDRⅡ的官方选择,FBGA属于BGA体系(Ball Grid Array,球栅阵列封装),前面已经讲过了。CSP封装最大的特点在于封装面积与芯片面积异常接近,两者比值仅有1.14:1,它也是目前最接近1:1 理想状况的芯片封装技术。这样在同样一条模组中就可以容纳下更多数量的内存芯片,有利于提升模组的总容量。 2.双通道内存控制器技术 所谓双通道DDR,简单来说,就是芯片组可以在两个不同的数据通道上分别寻址、读取数据。这两个相互工作的内存通道是依附于两个并行工作的,位宽为-bit的内存控制器下,因此使普通的DDR内存可以达到128-bit的位宽,如果是DDR333的话,双通道技术可以使其达到DDR667的效果,内存带宽陡增一倍。双通道DDR有两个bit内存控制器,双bit内存体系所提供的带宽等同于一个128bit内存体系所提供的带宽,但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个的、具备互补性的智能内存控制器,两个内存控制器都能够在彼此间零等待时间的情况下同时运作。例如,当控制器B准备进行下一次存取内存的时候,控制器 A就在读/写主内存,反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让有效等待时间缩减50%,双通道技术使内存的带宽翻了一翻。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的,并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用三条不同构造、容量、速度的DIMM内存条,此时双通道DDR简单地调整到最低的密度来实现128bit带宽,允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。双通道DDR技术带来的性能提升是明显的,DDR266能够提供2.1GB/s的带宽,而双通道DDR266则能提供4.2GB/s的带宽。以此类推,双通道DDR333 和DDR400能够达到5.4GB/s和6.4GB/s。 .CPU集成内存控制器技术 这是AMD公司提高CPU与内存性能的一项技术,这项技术是一种将北桥的内存控制器集成到CPU的一种技术,这种技术的使用使得原来,CPU-北桥-内存三方传输数据的过程直接简化成CPU与内存之间的单项传输技术,并且降低了它的延迟潜伏期,提高了内存工作效率。这么做得的目的是为了系统的北桥,众所周知,显卡也是通过北桥向CPU传输数据的,虽然说早在GeForce256时代就有了GPU的说法,但是随着现在游戏的进步,画面的华丽,不少数据还是需要CPU来做辅助处理的。这些数据传输到CPU必然要经过系统的北桥,由于AMD系统将内存控制集成到主般中来了,所以压力减小的北桥便可以更好地为显卡服务。另外,缺少了中间环节,内存和CPU之间的数据交换显得更为流畅。但是这项技术也有缺点,当新的内存技术出现时,必须要更换CPU才能支持。这在无形间增加了成本。 4.其他技术 A.ECC内存 全称Error Checkingand Correcting。它也是在原来的数据位上外加位来实现的。如8位数据,则需1位用于Parity检验,5位用于ECC,这额外的5位是用来重建错误的数据的。当数据的位数增加一倍,Parity也增加一倍,而ECC只需增加一位,当数据为位时所用的ECC和Parity位数相同(都为。在那些 Parity只能检测到错误的地方,ECC可以纠正绝大多数错误。若工作正常时,你不会发觉你的数据出过错,只有经过内存的纠错后,计算机的操作指令才可以继续执行。当然在纠错时系统的性能有着明显降低,不过这种纠错对服务器等应用而言是十分重要的,ECC内存的价格比普通内存要昂贵许多。 B.(Un)Buffered Memory 内存 (Un)Buffered Memory,(不)带有缓存的内存条。缓存能够二次推动信号穿过内存芯片,而且使内存条上能够放置更多的内存芯片。带缓存的内存条和不带缓存的内存条不能混用。电脑的内存控制器结构,决定了该电脑上带缓存的内存还是上不带缓存的内存。 四、总结篇 Q&A 伴随着整个PC工业的发展,内存的发展朝着速度更快,功耗更低,成本更低的方向发展,老一代DDR内存正在面临着更多新技术的挑战,不管是同门DDRⅡ、还是Rambus的XDR,VIA的QBM都有一定竞争力。作为普通的本本用户,我们更关心的是技术成熟,产品性价比高的产品,由于本本内存的扩展相对于其他硬件容易些,建议大家在资金允许的范围内最好还是增加内存容量。尤其是集成显卡的本本,还可考虑升级到双通道,提高显卡和系统整体的性能。 1.组成双通道有哪些条件。 首先,组成双通道内存需要主板或CPU集成双通道内存控制器才可以,其次,需要两条内存插槽,我在前面讲过,一个DDR SDRAM插槽是bit的,要组成128bit的双通道必须两条内存插槽才行。第三,需要强调的是对内存条的要求,Intel官方文档对组建双通道的内存条有着严格的*,必须是相同容量、相同结构(如单面、双面或内存颗粒的数量、每个颗粒的位宽等参数必须相同)和相同品牌(不同品牌内存的SPD信息有可能不同)的内存才行。当然,这只是Intel为了保证双通道正常运行提出的要求。事事无绝对,也会存在一些其他的组合,大家如果有这方面的经验,可以回帖交流。 2.笔记本怎样升级内存。 笔记本的内存的升级,原则上可以“韩信点兵,多多益善”。但是需要考虑几个方面的问题。 类型:由于DDR和DDRⅡ针脚定义不同,工作电压也不同,所以不能混插,否则会烧毁内存或内存插槽。 容量:尽量选择单条容量比较大的,如果不是组成双通道,尽量选择单条512MB以上的。 速度:首先要考虑芯片组的规格,尽量符合芯片组的最大要求购买,其次,保证两条内存的频率相同,如果原来的内存是DDR266的,买一条DDR333的内存只能在DDR266的频率上运行,发挥不了真实的性能。 结构:从理论上讲,无论是扩充性、稳定性还是兼容性,单面结构都比双面结构稍胜一筹。从发热量上考虑,单面内存比双面的要小。单、双面内存它们的本身没有好坏,区别也很小,同等容量的内存,单面比双面的集成度要高,生产日期要靠后,所以工作起来就更稳定。 PS:关于各芯片组内存控制器的规格,请看上一篇浅谈笔记本主流芯片组 关于内存升级的问题还可以参考版主帅鼠的帖笔记本内存升级! 3.内存颗粒如何识别。 由于没有相对统一的标准,各个厂商的颗粒都不大相同,我给出几个常见的颗粒厂商的百度搜索结果,大家可以根据自己的需要查看。 Hynix(现代电子) Samsung Electronics(三星电子) Micro(美光) Infineon(英飞凌) Kingmax(胜创) GEIL(金邦) Mosel(茂矽) Nanya(南亚) Apacer(宇瞻) V(A)-data(威刚科技)
求采纳