这个内存条什么牌子
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现代内存。
一、识别Hyundai（现代）内存的模块和芯片编号
内存模块编号即内存条的标识，芯片编号是单个内存集成块的标识。内存常有PC133
2-2-2的标识，其中2-2-2的含义分别是CAS（Column
Address Strobe，列地址控制器）
、CAS到RAS、RAS（Row Address Strobe，行地址控制器）的反应周期。
一、SDRAM内存
1、第一类SDRAM内存芯片 （如左图）
例：HY XX X XX XX X X XX X X - XX
HY：现代内存
XX：产品组，57=SDRAM
X：处理工艺和电能供应，V=CMOS 3.3V
XX：密度和刷新，=M/4K刷新，65=M/8K刷新，28=1284M/4K刷新，56=256M/8K刷新
XX：内存芯片组成，4=x4，8=x8，16=x16，32=x32
X：Bank，1=2 Bank，2=4 Bank
X：应用部分
XX：接口，0=LVTTL，1=SSTL-3
X：能源消耗，HEI（空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=*），HME（H=第一代
，HA=第二代， HB=第三代，HC=*）
X：封装，T=TSOP，Q=TQFP，I=BLP，L=CSP（LF-CSP）
XX：速度，5=200MHz，55=183MHz，6=166MHz，7=143MHz，K=PC133/CL2，H=PC133/CL3，
8=125MHz，P=PC100/CL2，S=PC100/CL3，10=100MHz
2、第二类SDRAM内存芯片
例：GM 72
X XX XX X X X X X - XXX
GM：LGS前辍
72：SDRAM
X：制造工艺和电源供应，V=CMOS 3.3V
XX：密度和刷新，16=16Mb/4K刷新，17=16Mb/2K刷新，28=128Mb/4K刷新，=Mb/16K
刷新，
65=16Mb/8K刷新，66=16Mb/4K刷新
XX：芯片组成，4=x4，8=x8，16=x16，32=x32
X：Bank，1=1
Bank，2=2 Bank，4=4 Bank，8=8 Bank，
X；输入/输出接口，1=LVTTL
X：修订版本号，空白=原始版，A=第一代，B=第二代，C=第三代，D=*，E=第五代
，F=第六代
X：功耗，无=标准，L=低功耗
X：封装，TSOP（正常），R=TSOP（反转型），I=BLP，S=STACK
XXX：速度，6=166MHz，65=153MHz，7=143MHz，75=133MHz，8=125MHz，7K=PC100/2-2-
2， 7J=PC100/3-2-2，10K=PC66，10J=PC66，12=83MHz，15=66MHz
3、第三类SDRAM内存芯片
例：HY XX X XXX XX X X X XX XX - XX
HY：现代内存
XX：产品组，57=DRAM，5D=DDR SDRAM
X：制造工艺和能源供应，V=CMOS 3.3V，U=CMOS 2.5V
XXX：密度和刷新，4=4Mbit 1K刷新，16=16Mbit 4K刷新，=Mbit 8K刷新，65=Mb
it
4K刷新，129=128Mbit 4K刷新，257=256Mbit 8K刷新
XX：数据宽度和特征，40=x4，80=x8，16=x16，32=x32
X：Bank，1=2 Bank，2=4 Bank
X：接口，0=LVTTL，1=SSTL，2=SSTL2
X：内核版本，空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=*，D=第五代
X：能源消耗，无=正常功耗，L=低功耗
XX：封装，TC=400mil TSOP 2，TQ=100针TQFPI
XX：速度，5=5ns（200MHz），55=5.5ns（183MHz），6=6ns（166MHz），7=7ns（143MH
z）， 7.5=7.5ns（133MHz），8=8ns（125MHz），10P=10ns（100MHz）/CL2&3/PC
100，10S=10ns（100MHz）/CL3/PC100，10=10ns（100MHz）/PC66，12=12ns（83MHz），
15=15ns（66MHz）
市上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的
SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7
、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC1
00，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的已停产，改换为T-H这样的尾号，最好
购买T-H尾号的PC133现代内存。
5、第一类SDRAM内存条
例：HYM X X XX X X X(X) X X X X X X X X - X(X)(X)
HUM：现代内存
X：产品组别，7=16/Mb SDRAM
X：能源供应和接口，V=3.3V LVTTL，S=3.3V SSTL
XX：数据宽度，/72=x/x72（PC66），65/75=x/x72（PC100），63/73=x/x72（
PC133）
X：错误侦测方案，无=奇偶校验或没有错误侦测，A=ECC
X：DIMM类型，无=168针非缓冲DIMM，E/S/R/C/D=168针注册型DIMM
X(X)：内存深度，1=1M，2=2M，4=4M，8=8M，16=16M
X：刷新，0=1K，1=2K，2=4K，3=8K
X：内部bank组成，0=2 bank SDRAM，1=4 bank SDRAM
X：模块版本，空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=*，D=第五代
X：能源消耗，无=正常功耗，L=低功耗
X：封装类型，T=400mil TSOP 2
X：连接数据宽度和DIMM类型，K=x4基本非缓冲DIMM，F=x8基本非缓冲DIMM，R=x16基本
非缓冲DIMM， H=x4基本168针注册DIMM，X=x8基本168针注册DIMM，P=x4基本SODIMM，
Q=x16基本SODIMM， Z=x8基本SODIMM
X：针脚电镀金属，G=金
X：模块索引，空白、1、2、3=描述相同配置和操作模块的不同PCB和生产原料
X(X)(X)：速度，75=7.5ns（133MHz），8=8ns（125MHz），10P=10ns（PC100 CL2&3），
10S=10ns（PC100 CL3），10=10ns（100MHz）
6、第二类SDRAM内存条
例：HYM XX X XX X
X X X X X X X - XXX
HYM：现代内存模块
XX：成份组，71=128Mb SDRAM，72=256Mb
SDRAM，75=512Mb SDRAM，7G=1Gb SDRAM
X：能源供应和接口，V=3.3V LVTTL，S=3.3V SSTL
XX：数据宽度，/72=x/x72（PC66），65/75=x/x72（PC100），63/73=x/x72（
PC133）
X：DIMM类型，无=168针非缓冲DIMM，R=JEDEC类型168针注册DIMM w/PLL，E=英特尔类型
168针注册 w/o
PLLA，S=英特尔类型168针注册DIMM w/PLL，C=RCC类型168针注册DIM
M w/PLL，D=JEDEC类型200针注册DIMM
w/PLL，M=144针SODIMM
X：内存深度，8=8M，16=16M，28=128M，32=32M，=M，12=512M
X：刷新，0=1K，1=2K，2=4K，3=8K
X：内部bank组成，0=2 bank SDRAM，1=4 bank SDRAM
X：模块版本，空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=*，D=第五代
X：能源消耗，无=正常功耗，L=低功耗
X：封装类型，无=SOJ，T=TSOP，S=A型Stack pkg，K=B型Stack pkg
X：连接类型，N=x4基本型，H=x8基本型，X=x16基本型，HX=x8/x16基本型，XH=x16/x8
基本型（1 Bank/2
Bank）
XXX：速度，75=7.5ns（133MHz），8=8ns（125MHz），10P=10ns（PC100 CL2&3），10S
=10ns（ PC100 CL3），10=10ns（100MHz）
7、第三类SDRAM内存条 （如左图）
例：GMM X 2
XX XX X X X X X XX - XXX
LGS：LGS内存模块，属现代集团旗下
X：产品组，无=LGS，S=Smart，T=Tanisys
2：能源供应和接口，2=SDRAM
XX：组成，=x，72=x72，73=x72/ECC
XX：内存深度，1=1M（16M SD），2=2M（16M
SD），4=4M（16M SD），5=4M（M SD）
，6=4M（128M SD），8=8M（16M SD），9=8M（M
SD），10=8M（128M SD），16=16M（
M SD），17=17M（ 128M SD），32=32M（M
SD），33=33M（128M SD），=M（
M SD），65=M（128M SD）
X：刷新，0=1K，1=2K，2=4K，3=8K
X：I/O接口，1=LVTTL/1时钟周期，2=LVTTL/2时钟周期
X：组成模块，0=168针注册DIMM，1=200针注册DIMM，3=168针非缓冲DIMM，7=144针非缓
冲SODIMM（基本型），8=144针非缓冲SODIMM（低功耗型）
X：IC修订版本，空白=原始版，A=第一代，B=第二代，C=第三代，D=*，E=第五代
，F=第六代
X：模块修订版本，无=原始版，N=第一代，F=4层PCB，H=1.15英寸高（8M*），P=加入
PLL
XX：封装和终结，T=TSOP焊接，TG=TSOP镀金，IC=BLP镀金，SG=Stack镀金
XXX：速度，75=133MHz，8=125MHz，7K=PC100 2-2-2，7J=PC100 3-2-2，10K=PC66，10
J=PC66， 12=83MHz，15=66MHz
8、第四类SDRAM内存条
例：HYM XX X XX X X X XX X X
X X - XX
HYM：现代内存条
XX：内存组成，76=Mb SDRAM，71=128Mb SDRAM，72=256Mb
SDRAM，76=512Mb SDRAM，
76=1Gb SDRAM
X：能源供应和接口，V=CMOS 3.3V LVTTL，S=SSTL3
XX：内存深度，4=4M，8=8M，16=16M，32=32M，=M，12=512M，51=512M
X：DIMM类型，无=168针非缓冲DIMM，R=JEDEC类型168针注册DIMM w/PLL，E=英特尔类型
168针注册 w/o
PLLA，S=英特尔类型168针注册DIMM w/PLL，C=RCC类型168针注册DIM
M w/PLL，D=JEDEC类型200针注册DIMM
w/PLL，M=144针SODIMMX：数据宽度，/72=x
/x72（PC66）， 65/75=x/x72（PC100），63/73=x/x72（PC133）
X：内部bank组成，1=4K/2 bank，2=8K/2 bank，3=16K/2 bank，5=4K/4 bank，6=8K/4
bank，7=16K/4 bank
XX：内核版本号，ICHON（无=第一代，A=第二代，B=第三代，C=*），Cheong-Ju（
H=第一代， HA=第二代，HB=第三代，HC=*）
X：能源消耗，无=正常功耗，L=低功耗
X：封装类型，T=TSOP，S=A型Stack pkg，K=B型Stack pkg
X：组成配置，4=x4基本型，8=x8基本型，6=x16基本型
X：模块版本，无=原始型，M=第一代修订版，N=第二代修订版
XX：速度，K=PC133 CL2，H=PC133 CL3，P=PC133 CL2，S=PC133 CL3
二、DDR SDRAM
1、内存芯片
例：HY XX X XX XX X X X X X - XX
HY：现代内存
XX：产品组别，5D=DDR
SDRAM
X：制造工艺和能源供应，V=CMOS 3.3V，U=CMOS 2.5V
XX：芯片容量和刷新速率，=M
4K刷新，66=M 2K刷新，28=128M 4K刷新，56=256
M 8K刷新
XX：芯片结构（数据宽度），4=x4，8=x8，16=x16，32=x32
X：BANK数量，1=2 Bank，2=4 Bank
X：I/O界面：1=SSTL_3，2=SSTL_2
X：芯片内核版本，空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=*
X：能量等级，无=正常功耗，L=低功耗
X：封装形式，T=TSOP，Q=TQFP，I=BLP，L=CSP
XX：速度，5=200MHz，55=183MHz，6=166MHz，7=143MHz，K=PC266A，H=PC266B，8=125
MHz， L=PC200
2、内存模块
例：HYM XX X XX X X X XX X X X X - XX
HYM：现代内存模块
XX：产品组，D1=128Mb DDR SDRAM，D2=256Mb DDR SDRAM，D5=512Mb DDR
SDRAM，DG=1
Gb DDR SDRAM
X：能源供应和接口，无=CMOS 2.5V SSTL_2
XX：内存深度，8=8M，16=16M，32=32M，=M，12=128M，51=512M，1G=1G
X：模块类型，无=184针非缓冲DIMM，G=194针注册DIMM，M=SODIMM
X：数据宽度，=x，72=x72
X：刷新/SDRAM bank，1=4K刷新/2 bank，2=8K刷新/2 bank，3=16K刷新/2 bank，5=4K
刷新/4
bank，6=8K刷新/4 bank，7=16K刷新/4 bank
XX：内核版本，空白=第一代，A=第二代，B=第三代，C=*
X：能源消耗，无=标准，L=低功耗
X：封装，无=TSOP，Q=TQFP，S=A类型Stack，K=B类型Stack
X：成份配置，4=x4基本型，8=x8基本型，16=x16基本型
X：模板修订版，无=原始型，M=第一代修订，N=第二代修订
XX：速度，K=PC266A，H=PC266B，L=PC200
三、RDRAM
1、内存芯片
例1：R X XX X X - X
XX
R：DRDRAM
X：处理工艺，无=COMOS 2.5V，W=COMOS 1.8V
XX：密度，72=72M
8K刷新，128=128M 8K刷新，144=144M 8K刷新
X：封装，E=边缘连结（74针），C=*连结（62针），M=镜像
X：I/O频率，6=600MHz，7=711MHz，8=800MHz
XX：速度，40=40ns，45=45ns，50=50ns，53=53ns
例2：HY XX X XXX XX X X XX
HY：现代内存
XX：产品家族，5R=DRDRAM
X：制造工艺和能源供应，无=COMOS 2.5V，W=COMOS 1.8V
XXX：数据密度和刷新，/72=/72 Mbits
8K刷新，128/144=128/144bits 8K刷新，
256/288=256/288 8K刷新
XX：内核版本号，ICHON（无=第一代，A=第二代，B=第三代，C=*），Cheong-Ju（
H=第一代， HA=第二代，HB=第三代，HC=*）
X：封装，E=边缘连结，C=*连结，M=镜像
X：I/O频率，6=600MHz，7=711MHz，8=800MHz
XX：速度，40=40ns，45=45ns，50=50ns，53=53ns
2、内存模块
例1：RM XX XX X X X - X XX
RM：DRDRAM内存模块
XX：深度，16=16M（M/72M基本型），32=32M（M/72M基本型），33=32M（128M/144
M基本型）， 48=48M（72M基本型），49=48M（128M/144M基本型），=M（M/72M
基本型），65=M（ 128M/144基本型），96=96M（128M/144M基本型），128=128M（
M/72M基本型），129=128M（ 128M/144M基本型），256=256M（128M/144M基本型）
XX：内存组成，16=x16（非ECC），18=x18（ECC）
X：电路版层修订版本，无=原始，1=第一代，2=第二代
X：IC修订本，A=第一代，B=第二代，C=第三代
X：MDL修订本，无=原始版，N=第一代，M=第二代
X：I/O频率，6=600MHz，7=711MHz，8=800MHz
XX：速度，40=40ns，45=45ns，50=50ns，53=53ns
例2：HYM XX X XXX X XX X X X XX
HYM：现代内存
XX：产品组别，R1=128/144Mb
DRDRAM，R2=256/288Mb DRDRAM，Rd3=516/576Mb DRDRAM
X：能源供应和接口，无=CMOS
2.5V，W=CMOS 1.8V
XXX：内存深度，32=32M，48=48M，=M，96=96M，128=128M，256=256M
X：模块类型，无=184针RIMM，M=SORIMM
XX：数据宽度，16=x16（非ECC），18=x18（ECC）
X：内核版本号，ICHON（无=第一代，A=第二代，B=第三代，C=*），Cheong-Ju（
H=第一代， HA=第二代，HB=第三代，HC=*）
X：，无=原始版，M=第一代，N=第二代
X：I/O频率，6=600MHz，7=711MHz，8=800MHz
XX：速度，40=40ns，45=45ns，50=50ns，53=53ns
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韩国现代的内存，HY开头的，DDR3的现在比较普遍的内存~~~
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上面不是写了嘛，制造商Hyundai
热心网友
这哪能看的出来 只能看出是DDR3 1066 2G的 笔记本内存 点SPD找到有内存的插槽 看看型号 查一下就知道了
热心网友
这谁看得出？
